La fuente de Plasma
La línea de QUATRON, a la SA-Group GmbH ofrece una mayor precisión en el proceso, geometría de la viga flexible y fácil de integrar en una amplia variedad de sistemas. El sistema permite que los recubrimientos homogéneos y reproducibles, que opera de forma estable con la energía de los iones entre el 20 y el 1500 y el eV.
El rayo de plasma, neutro, que evita que la carga electrostática en el sustrato, lo que elimina la necesidad de un neutralizador. Gracias a sus numerosas posibilidades de aplicación en los procesos de grabado (etching), IBS, la limpieza y la activación de PECVD, la QUATRON combina a la escalabilidad, la fiabilidad de los procesos y de la mayor flexibilidad del sistema.
Los métodos de producción y de extracción de plasma se utilizan y la propiedad de la SA-Group GmbH, que permiten la aplicación de la tecnología de pantalla de plasma en una amplia gama de aplicaciones industriales.
El proceso de adaptación de las fuentes de plasma en las diferentes bandas de frecuencias, como los 13,56 MHz, 27.12 MHz o 40 MHz, puede llevarse a cabo con facilidad. Las frecuencias más altas proporcionan un mayor grado de ionización y, por lo tanto, mayor es la densidad del plasma, el más grande de la corriente iónica y con más energía.
Además, también es posible llevar a cabo las chaquetas, directamente, ‘la fuente’. En los procesos con los contenidos descargables, como por ejemplo, los átomos de C ++ son elaborados dentro de la misma fuente, y que en las parcelas tratadas con la energía de la corriente y en la dirección definida.
Las bobinas de campo magnético orientado en la dirección axial. Esto le permite tener influencia en el campo magnético, y se modifican las características de la viga, como el de la energía y el foco de atención. El campo magnético que permite ajustar el aire a diferentes condiciones de proceso, tales como la presión de la cámara.
Las Características especiales de las fuentes de plasma QUATRON
- El neutro de la viga, y en paralelo (sin carga estática en el sustrato)
- La rejilla de extracción — pieza sujeta a desgaste
- La energía iónica de haz ajustable con precisión: 20 a ~2000 eV
- La intensidad de la corriente de haz de hasta ~6 mA/cm2.
- El rango típico de operación de la presión: 1 x 10⁻⁴ máximo de 5×10-3 mbar
- La distribución de la energía de arriba en blanco y negro dentro de los grupos de presión y la correspondiente
- La operación de los sistemas de plasma de varios gases, al mismo tiempo, con la mezcla que ocurren dentro de la propia fuente de plasma de
Las fuentes de plasma acoplados capacitivamente, es posible que tanto los procesos CVD y los procesos asistidos por plasma y en los métodos convencionales y los PAÍSES en desarrollo. El rango de energía, que normalmente oscila entre el 20 de vera, hasta el año 2000 eV o más.
La frecuencia óptima para cada uno de los procesos
de la operación a 13,56 MHz, 27.12 MHz o 40 MHz, para la vía idónea y con el máximo de la densidad del plasma.
El control de flujo axial del campo magnético y
de las características de las variables de la haz de la energía y el foco de atención para los ajustes específicos de cada uno de los procesos.
La tecnología iónica con el control de la energía y
de la generación de la variable de iones directamente a la fuente de la estabilidad y reproducibilidad del proceso.
A la vez Robusto, versátil y de alta calidad de la energía
de fuentes acoplados capacitivamente a los procesos de etching, CVD y PVD, con una amplia gama de gases de efecto invernadero y energías.
