Fonte de Plasma
Com a linha QUATRON, a HS-Group GmbH oferece máxima precisão de processo, geometrias de feixe flexíveis e fácil integração em uma ampla variedade de sistemas. O sistema possibilita revestimentos homogêneos e reproduzíveis, operando de forma estável com energias de íons entre 20 e 1500 eV.
O feixe de plasma neutro evita o carregamento eletrostático do substrato, eliminando a necessidade de neutralizador. Graças às diversas possibilidades de aplicação em processos de gravação (etching), IBS, limpeza, ativação e PECVD, a QUATRON combina escalabilidade, confiabilidade de processo e máxima flexibilidade de sistema.
Os métodos de geração e extração de plasma utilizados e patenteados pela HS-Group GmbH permitem a aplicação da tecnologia de plasma em uma ampla gama de aplicações industriais.
A adaptação das fontes de plasma para diferentes frequências, como 13,56 MHz, 27,12 MHz ou 40 MHz, pode ser realizada facilmente. Frequências mais altas proporcionam maior grau de ionização e, consequentemente, maior densidade de plasma, maior corrente iônica e maior energia.
Também é possível realizar revestimentos diretamente “na fonte”. Em processos DLC, por exemplo, os átomos de C+ são preparados dentro da própria fonte e as superfícies são tratadas com energia, corrente e direção definidas.
As bobinas do campo magnético são orientadas axialmente. Isso permite influenciar o campo magnético e modificar as características do feixe, como energia e foco. O campo magnético possibilita ajustar o plasma para diferentes condições de processo, como pressão da câmara.
Características especiais das fontes de plasma QUATRON
- Feixe neutro e paralelo (sem carregamento estático do substrato)
- Grade de extração — única peça sujeita a desgaste
- Energia iônica do feixe ajustável com precisão: 20 até ~2000 eV
- Intensidade de corrente do feixe: até ~6 mA/cm²
- Faixa típica de operação/pressão: 1×10⁻⁴ até 5×10⁻³ mbar
- Distribuição de energia altamente monocromática dentro da faixa de pressão correspondente
- Operação do plasma com múltiplos gases simultaneamente, com primeira mistura ocorrendo dentro da própria fonte de plasma
Com as fontes de plasma capacitivamente acopladas, são possíveis tanto processos CVD quanto processos assistidos por plasma em métodos PVD convencionais. A faixa de energia normalmente varia de 20 eV até 2000 eV ou mais.
Frequência ideal para cada processo
operação em 13,56 MHz, 27,12 MHz ou 40 MHz para ionização ideal e máxima densidade de plasma.
Controle axial do campo magnético
características variáveis do feixe (energia e foco) para ajustes específicos de cada processo.
Tecnologia iônica com controle de energia
geração variável de íons diretamente na fonte para máxima estabilidade e reprodutibilidade do processo.
Robusto, versátil e de alta energia
fontes capacitivamente acopladas para processos de etching, CVD e PVD com ampla faixa de gases e energias.
